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3D X-DRAM芯片容量比现有存储芯片高10倍

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NEO Semiconductor近日宣布推出两项新的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C,有望彻底改变DRAM内存的现状。

这两种设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构,预计将于2026年生产概念验证测试芯片,并将提供比当前普通DRAM模块10倍的容量。

基于NEO的3D X-DRAM技术,新设计的内存单元能够在单一模块上容纳512Gb(64GB)的容量,这比目前市面上任何模块至少多出10倍。

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