新材料科技
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京都大学宣布来自该校材料化学系、立命馆大学、东京都产业技术综合研究所等的研究小组开发了一种新的金红石型GeO2基半导体——主要是金红石型GeO2（r-GeO2），作为下一代功率半导体材料引起了关注。 这种r-GeO2材料有望成为实现低损耗和高电压功率器件的下一代功率半导体材料。 目前超宽带隙（UWBG）半导体作为下一代半导体材料，包括氮化铝（AlGaN）、氧化镓（Ga2O3）和金刚石，被认为有望用于制作低损耗、高电压功率器件。不过UWBG半导体的基材成本高，以及难以控制pn两极化传导是器件开发的主要障碍。 在此背景下，金红石型二氧化钛（r-GeO2）作为下一代半导体材料最近吸引了大量的关注。 因为r-GeO2可用更廉价的方法合成块状晶体，而且理论上已经预测了pn-双态传导的可能性。该研究小组表示，该结果将支持对包括r-GeO2在内的金红石型氧化物半导体的进一步研究，并将其应用于功率器件。
