材料天团
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超宽带隙材料，如Ga2O3、AlN和金刚石，具有非常高的本征击穿电场，这使它们成为处理高功率的特殊候选者。 在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga2O3），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料的代表，人们对Ga2O3的兴趣呈指数级增长。目前，各国的半导体企业都争先恐后布局氧化镓，氧化镓正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星。 Ga2O3不仅在减少能量损耗的小体积高转化效率的功率开关器件方面有巨大潜力，还可以制造日盲深紫外光探测器。
