在进行基于PVT独立ST的多谐振荡器设计时，进行基于RC的多谐振荡器的PVT分析是一个重要步骤。不同温度对电路的性能可能会有显著影响，需要考虑温度范围内的频率稳定性和电路偏移。
雨巷
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基于 PVT 独立 ST 的多谐振荡器设计。 正在对基于 RC 的多谐振荡器进行 PVT 分析。不同温度 (0-100 C) 和工艺角 (FF、FS、SF、SS) 下的仿真显示了调制信号中的信号延迟。该延迟是由于温度和工艺对 R1、C1 和 MOSFET 阈值电压的影响造成的。 -我使用具有完全可调阈值电压的PVT独立施密特触发器（ST）来减轻调制信号延迟，但ST在延迟缓解中不起作用。 PVT独立ST是否是减轻信号延迟的明智选择？如何获得与PVT无关的调制信号？ 注：采用 CMOS 0.35 技术实现了该电路。
