落霞与孤鹜齐飞
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P-MOSFET hi-z 漏极对连接的逻辑时钟信号的影响，。 P-MOSFET，用于为微控制器烧断保险丝（安全设备）生成 VPP (6V)。VPP 线与 1.8-3.3V 编程时钟信号共用。连接到逻辑时钟信号（1-8Mhz 方波，LVC 逻辑系列生成的 1.8-3.3V）的关闭 P-MOSFET（Vg=Vs=4.5-6V）漏极有何影响？我担心额外的电容，但不确定数据表中的正确参数（我正在寻找）是否是 Coss。我需要具有低 Rdson（小于 100mOhm）的 P-MOSFET，并且在 P-MOSFET 关闭时对逻辑时钟信号的影响最小。 在我的例子中，P-MOSFET 的开关特性无关紧要，唯一重要的是 MOSFET 导通状态（最小 Rdson，时钟信号关闭）和 MOSFET 关断状态（对时钟信号影响最小）。
