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MOS作整流使用的控制逻辑,请问有哪些?
如图,左边和右边都是H4全桥,假设现在从左边向右边传输电能,右边的4个MOS管用于整流,应该如何控制?
假设TR变压器的次级是上正下负,So1~So4如何控制?
假设TR变压器的次级是上负下正,So1~So4如何控制?

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当栅极端子上没有电压时,器件不导通。当栅极端子上有最大电压时,器件显示出增强的导电性。增强型和耗尽型mos管之间的主要区别在于施加到 E-mos管的栅极电压应始终为正,并且它具有阈值电压,高于该阈值电压它会完全导通。
在H桥全桥中,左右两边都是H桥,电能传输方向由电流流向的一边决定。对于整流,通常使用PWM控制,通过控制MOSFET的导通和关断,实现电能的单向传输。具体控制逻辑涉及PWM信号的生成和相应的电流方向控制。
在H4全桥中,左右两侧的MOS管一般是串联输电的其中左侧的4个MOS管负责控制正方向电流,侧的4个MOS管负责控制反方向电流。为了免电路反冲,确保稳定输电,需要根据实际需求配置输电器件。同时还需要指定控制程序以确保正确的电流和电压水平输出。
MOS作整流器的控制逻辑通常有几种。其中一种最常见的是基于占空比控制的技术,也称 PWM 控制技术。此外还有基于恒频控制、模拟控制等多种技术,各有不同的特点和应用场景。具体选择何种技术,需根据应用需求和电路特性来决定。
当TR变压器的次级是上正下负时,So1和So4导通,So2和So3截止。当TR变压器的次级是上负下正时,So2和So3导通,So1和So4截止。

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