采用65nm技术设计线性电压缓冲器，需满足规格要求。通过选择合适的电流源和电阻值，设计电路以实现10-20MHz的带宽和0至0.9V的输入电压范围。
雨巷
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采用65nm 技术设计一个具有以下规格的线性电压缓冲器： BW：10-20MHz 输入电压范围：0 至 0.9V THD：<-80 dB 输入源是电荷泵斜坡发生器 (10MHz)，输出电阻= 2.2k 且电容 = 1.4pF。缓冲器必须驱动 400pF 的电容器。 尝试过使用级联电流源的自举级联源极跟随器拓扑。其THD仅为-65dB。 请为缓冲器建议合适的拓扑，谢谢 正在使用附加的缓冲电路。PMOS-NMOS 级用于将输出电压保持在所需范围内 (<1.2 V)。 主要的PMOS SF器件是4u/60n，NMOS SF器件是40u/60n。批量和来源都短。即使使用单级 PMOS SF 缓冲器，也会得到类似的失真。
