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摩尔定律“护驾者”!Intel展示多项半导体技术突破

 科技仓

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2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上,Intel展示了多项新的半导体技术突破,继续推进摩尔定律。

一是3D堆叠CMOS晶体管,一种栅极间距垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET),结合了背面供电(PowerVia)、直接背面触点(direct backside contact),可以缩微至60nm。

二是同一块300毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管,且性能良好。

三是全新的过渡金属二硫属化物(TMD)晶体管,可以让晶体管物理栅极长度微缩到10纳米以下。

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回复科技仓:细胞就是一台电脑,DNA算是电脑的CPU,这个才算得上真正高精尖了吧
回复科技仓:大约在三四年前我就从SSD堆叠工艺中预感到这种方向是总趋势,目前的主要问题是把单芯片的功耗降下来以利于多芯片堆叠的功耗不要太猛,毕竟水冷的天花板在那里,液氮不可能普及。
回复科技仓:这一点你就错了,单芯片和多芯并不能共存。
回复科技仓:GAA三星和台积电3nm就开始上了,intel 2nm才开始用算不算另一种挤牙膏。
回复科技仓:要是真有这么牛逼摩尔的棺材板都压不住,这牛逼也是宇宙无敌了。
回复科技仓:芯片工艺只能接近1纳米 无法直接等于1纳米,会发生量子隧穿,现在3纳米工艺就因为晶体管之间靠的太近导致良品率很低所以现在高端处理器都很贵

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