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碰上难题了!移相全桥电路,MOS管采用变压器驱动,...

 江布拉克

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碰上难题了!移相全桥电路,MOS管采用变压器驱动,没有加母线电压的时候,波形正常,如图1(超前桥臂,上下两个mos管的驱动GS波形)。加了母线电压(400V)以后,MOS管驱动波形畸变,上管信号畸变厉害,下管畸变小,如图2。GS波形畸变,MOS管导通时,顶部有波动不影响MOS管,耐压还可以承受。MOS管关断时,GS驱动信号底部的波动,最高幅度2V多,很容易使MOS管误开通。最终的MOS管母线电压要加到600V,波动幅度会更大,前面已经炸了好几次机,现在怀疑是MOS管误开通所致。请各位大神指点:这个问题该怎么解决 ?

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变压器驱动电路可能存在问题,导致在加入母线电压后驱动信号受到干扰。检查变压器的绕制、绝缘以及与其他电路部分的隔离是否良好。
这个驱动电路,没有起到任何作用,还衰减本来15V 信号 , 由于加速管后面还有R 10欧姆 D二极管。整个电路被衰减信号很多,看上1图, 只有12V多的信号幅度。 上部还倾斜, 因为VCC 15V给驱动, 1:1:1的驱动变压器变比是合理的, 但初级驱动管是晶体管, 相当于1.4V压降, 次级串联二极管0.7V压降,到达MOS 只有12V多的信号幅度, 不加MOS管时,上部倾斜是常见驱动变压器和PWM电流衰减引起的, 加了MOS管以后,由于驱动电流加大, 畸变进一步加剧变成2图波形。
另外,桥式隔离变压器驱动最好还是用驱动集成芯片, 不要用三极管(晶体管),(因为三极管是电流驱动),这是个双驱加速整形电路, 适合半桥,全桥电路驱动。 15V供电, 有14.3V 驱动信号幅度。 会削隐掉负半波信号。驱动损耗小的特点, R1'' C1'' 可以不用, D1 Q2根据MOS功率大小决定, 也适合双MOS并驱。
在电路中增加防误开通的保护电路,例如使用RC延时电路来消除GS驱动信号底部的波动。

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