一般来说，开通电压需要大于一定的阈值，以确保MOSFET能够正常导通。如果VCC电压过高，可能会导致开通电压过高，从而影响到MOSFET的性能。因此，在设计驱动器时，需要仔细选择VCC的电压值，以确保其满足SiC MOS的开通电压要求。
无雨歌
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实在搞不懂， 请教个采用负压关断碳化硅MOSFET驱动器的问题！碳化硅MOS要负压关断，开通栅压也要大于18V，驱动比较麻烦，请教各位个问题下图官方这个驱动DEMO，VCC的电压到底是多少V？说明书上没写，X3这个±12V输出的模块电源是否让VCC变为了24V，这样SiC MOS开通电压是不是太高了？ 另，图上在驱动SiC MOS的时候使用IXDN609这块芯片，各位在驱动碳化硅MOS有没其他驱动芯片的选择？国内有这样的驱动芯片吗？SiC MOS对驱动芯片有特殊要求吗？图上这种驱动板能用于高压上桥的MOS吗？
