酱香饼 巧了,今年上半年也遇到你这种情况。分享给你一下整改思路(区别是我的MOS管的负载是半桥变压器)。1,由于你这是关闭震荡,所以要尽可能的减小关闭回路面积,建议的方法是在G-S最近的地方用PNP三极管关它;2,给G或者S套磁珠,目的是为了阻尼住这个GS震荡;3,增大MOS管的Cgs,可以给gs外加一个不超过1nF的电容,或者给ds加这个电容(注意电压);4,改善驱动gs的走线,让gs和ds电流走不同的线上过;5,换管子。这种问题通常平面MOS管要好于coolMOS管;6,若你用的是coolMOS管,建议Rg取大点(数百Ω)。另外1:3,5,6会对效率温度有影响。要先解决这个震荡,再整改温度。另外2:我现在是给ds并470pF的电容(实际算很大了),给g还有d加磁珠。把这个震荡弄住后,MOS管温度不但没有升高,反而下降了(猜测的原因是这个尖刺对温度的影响比470pF的ds电容影响更恶劣)。