在Si IGBT的驱动电路中添加电容器和吸收二极管，以吸收关断时产生的电压过冲。电容器可以在短时间内存储电荷，而吸收二极管则提供一条绕过IGBT的路径，防止电压过高。
江布拉克
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求教高手：过冲电流和电压尖峰如何解决？正在做Si IGBT和SiC MOSFET并联开关，SiC MOSFET滞后于Si IGBT 关断。但在SiC MOSFET关断时，已关断的Si IGBT有一个过冲电流和电压尖峰，如何解决这一问题？
