频率较高,热点有可能引起干扰,不过就这一点应该不会有太大问题。如果介意的话你把热点走下在后边走不就行了。母线没必要非得铺那么大的面积呀
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求相助!准备做一个全桥的高频无线充电电源。下图为我画的一个大概的半桥单元的PCB布局(还没有添加输入滤波的电解电容和接线端子等部件)。主电路部分:TO-247-3的功率mos封装,由上到下分别为D,G,S;功率mos半桥的右侧就近并联两个高频特性好的薄膜电容(体积大的放在下层,体积小的放在顶层);直流母线放在最右侧,分层用大面积覆铜;热点(桥臂中点)放在左侧用端子接线引出。 目标工况为:直流输入300V,平均输入电流7-8个安培,开关频率100k。驱动部分:用的一款有过流保护的驱动芯片,需要检测管压降,所以G,D,S都有接驱动芯片。下图中我用绿色的手画线高亮了驱动的G--S回路。求教 在这个布局中,下管的驱动回路和热点(桥臂中点)交叉在一起。这样会不会给驱动回路带来很大的干扰。多谢!