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特来求教MOS管寄生体二极管和二极管VF的差异!6...

 王为昌

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特来求教MOS管寄生体二极管和二极管VF的差异!650V MOS管 FCH041N65F_F085,600V二极管 VS-ETU3006HSM3。请问它们的相同电流下的VF值为什么差异这么大?

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你看下那个图里,在电流接近零时,这两个的电压是有差别的,即体二极管和分立二极管的开启电压VK(阈值电压)是不同,这个值和器件的能带在PN结附近的改变幅度有关(PN结的内建电势),受器件的掺杂浓度影响。你给的这两个器件,应该是MOS管的衬底材料里掺杂浓度较低, 故开启电压VK小,同等电流时,正向电压VF也小,VF=VK+I*R
材质和工艺一定时,渗杂浓度向两个方向发展,1、高耐压。2、低阻抗,两者不可兼得,需要折中均衡。寄生的二极管特征不同也就合理了。
MOS管中的二极管是寄生的,并不给你当正常的二极管用。
超结MOS因为天生的体二极管反向恢复特性缺陷,为了适应这种工况的场合一般会单独做一个号称是优化体二极管的系列(比如英飞凌的CFD系;东芝的W系)对比看了一下,虽然体二极管的VF比VISHAY的这个UFRD要低,但是体现反向恢复特性的Trr和Qrr方面却差很多这也是为什么SJMOS不容易通过外部二极管进行反向恢复特性补偿。

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