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为什么Pmos比Nmos应用的少? 为什么Pmos比Nmos应用的少?在电路应用中, 如正激、反激、推挽、半桥、全桥等,都有Nmos管的身影,很少见到Pmos. 正因为Nmos半导体的电子浓度相比Pmos要高,导致Nmos电子迁移率比Pmos高(电子的迁移率比空穴高)。 即在相同电场下,Nmos的电子速度会更快。 一般电子浓度相同,Nmos和Pmos两种半导体材料两端施加相同的电压, 迁移率更大的半导体材料,电流越大,即电阻率。越低,损耗越小。 同体积大小情况下,Nmos损耗更小。即 Nmos比Pmos损耗要低。 当Nmos的Vgs电压高频率变化时,导电沟道的厚薄度,通过电子的移动也会跟着发生变化。 这时,导电沟道就会更快的响应到Vqs电压的变化。 响应更好,器件速度更快。工作频率更高。正是因为迁移率的差别,才有速度与导通电阻的差别。 这使pmos在许多应用中受到限制。 器件面积问题,相同的驱动能力,Pmos所需要的面积是Nmos的2倍关系。 市场上Pmos的价格普通比Nmos要高