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钙钛矿单晶薄膜制备时间大缩减,光电子器件迎材料革命

 材料人柱力

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华东理工大学团队研究团队通过新生长体系提高了晶体生长速率,可制备厘米级单晶薄膜,将生长周期缩短至1.5天,实现低温、快速、可控制备30余种钙钛矿半导体。该技术为高性能光电子器件提供丰富材料库,有望提升器件性能和使用寿命。相比多晶薄膜,单晶具有低缺陷密度和优异光电性能。

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