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北大团队突破:单晶界面外延法催生高性能超薄半导体!

 新材料君

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北京大学、中国人民大学和中科院物理研究所团队报告了一种界面外延方法,用于多种二硫化物材料的生长,包括MoS2、MoSe2等。该方法通过连续添加金属和硫,确保了连续的3R堆叠顺序,并控制厚度。生长的薄膜质量高,迁移率高,光学差频线性响应显著增强。相关成果已发表在国际顶级期刊Science上。

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