中国领先的工业平台

返回贤集网 返回微头条
贤集网技术微头条APP获取

记忆晶体管的未来已来,延世大学领衔研发忆阻特性二维材料!

 材料人柱力

下载贤集网APP入驻自媒体

二维半导体材料因其物理特性受关注,尤其是忆阻特性在电子存储和处理技术中潜力巨大。然而,探索具备忆阻能力的二维半导体材料面临挑战。软化学方法,如选择性去除 A–B–X 三元化合物中的阳离子 A,有助于合成二维材料,但具备忆阻特性的半导体二维 B–X 化合物仍稀少。

为应对这一挑战,韩国延世大学及韩国陶瓷工程与技术研究所的研究人员在“Nature Materials”上发表论文,通过高通量筛选和顶化学蚀刻方法,成功合成了具有忆阻特性的HxA1–xBX型半导体III–V衍生范德华晶体,这些晶体展示了忆阻特性,具有潜在的应用于记忆晶体管中的价值。

研究拓展了二维半导体应用,为记忆晶体管提供新思路。筛选出的10种候选材料兼具半导体和忆阻特性,为功能集成和性能提升提供可能。记忆晶体管的实现为电子学和光电子学带来创新机会,未来研究可探索其实用性并推动技术进步。

最新回复
发布回复

为您推荐

热门交流