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哪位高手了解PNP三极管饱和导通,求指教!如图下,...

 王为昌

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哪位高手了解PNP三极管饱和导通,求指教!如图下,输入Vin经过肖特基二极管VT1后,后续电路起到过压保护的作用(过压断开PMOS管),稳压管VT2的稳压值为25V,讨论如果在输入为过压(48V输入)的保护情况,现有问题分析如下:
【1】首先如果电路的过压保护启动了,为什么此时PNP(图中V1)一定是饱和导通?个人理解是,饱和导通时,A点与B点的电压差仅仅为0.7V,这样才使得PMOS关断,而在非饱和导通时,PNP的EC极之间的电阻没有足够小,以致A和B点之间的压差大于PMOS的GS之间的导通电压Vth值(2V),使得PMOS继续导通。
【2】PNP未饱和导通时,Vin经过VT1在A点,(此处先暂时不考虑R3),通路是:从A→V1(eb极)→R2→VT2→GND,此时PNP基极电流为(Vin-0.7-VT1)/R2,而在PNP饱和导通时,通路变为:A→V1→R4→GND,此时R4流经的电流即为PNP的集电极电流为(Vin-0.7)/R4。假设PNP的放大倍数为h,如果PNP是饱和导通,那么基极电流乘以h,是要大于还是要小于集电极电流呢?
【3】因为PMOS的VGS有幅值限制(10V),所以加上稳压二极管VT3来稳压,这样直接接在PMOS的GS极,需不需要加上限流电阻(类似R1与VT2的关系)?是不是R4就是VT3的限流电阻?另外当输入为48V时
,因为VT3稳压为10V,所以B点的电压为38V,这样PMOS的栅极可以承受吗?手册只说Vgs的电压不大于10V,但是未说各个极的电压最大值。
【4】R3的作用是增加稳压和保护的可靠性,这个R3如何选值呢?

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1、电路设计的目的其实也是要工作在饱和导通状态,假设不是饱和导通状态,那理论放大倍数就是R4/Re,Re是极小的值这样的话放大倍数是远超过hfe的2、饱和时候hfe是会变小的,所以集电极电流是小于基极电流乘以hfe的3、R4就是限流电阻了,关于B点电压其实V1导通后会被钳位到47.7V左右而不是38V的,另外假设V1未导通,那G极电压38V,因为增强型MOS的话其实G极和S极之间有一层绝缘层的,等效为一个电容,电容只要两端压差不超过限定值,就不会有击穿的风险,自然不会损坏。4、R3值的选取,可能要算下了,因为其电流基本就是I3=0.7V/R3了,利用基尔霍夫电流定律流过R2的电路就是IB+I3,假设R2的值固定的话,那自然流过R2的电流就是(47.3V-VC)/R2,可以看出基本固定,这样的话I3增大IB就会减小,其实是起到反馈的作用,这个的话根据你要反馈的等级来计算吧,没有个准值
先把能实现你描述功能的元件参数都标上再来谈原理
弱弱地问一句,这个Ib电流是不是(Vin-0.7-VT1-VT2)/R2,你的公式中少了VT2?

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