1、电路设计的目的其实也是要工作在饱和导通状态,假设不是饱和导通状态,那理论放大倍数就是R4/Re,Re是极小的值这样的话放大倍数是远超过hfe的2、饱和时候hfe是会变小的,所以集电极电流是小于基极电流乘以hfe的3、R4就是限流电阻了,关于B点电压其实V1导通后会被钳位到47.7V左右而不是38V的,另外假设V1未导通,那G极电压38V,因为增强型MOS的话其实G极和S极之间有一层绝缘层的,等效为一个电容,电容只要两端压差不超过限定值,就不会有击穿的风险,自然不会损坏。4、R3值的选取,可能要算下了,因为其电流基本就是I3=0.7V/R3了,利用基尔霍夫电流定律流过R2的电路就是IB+I3,假设R2的值固定的话,那自然流过R2的电流就是(47.3V-VC)/R2,可以看出基本固定,这样的话I3增大IB就会减小,其实是起到反馈的作用,这个的话根据你要反馈的等级来计算吧,没有个准值