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不求甚解,如下图是DCM   限流检测电阻两端的经...

 海涛

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不求甚解,如下图是DCM   限流检测电阻两端的经典电压波形,请高手说说这三个位置波形产生的原理,影响及如何改善?位置1:MOS管导通瞬间,限流电阻电压有很多的正负方向尖峰;位置2:当电流慢慢上升达到一定大的时候,电流突然有向下的尖峰;位置3:MOS管关段后,限流电阻电压会有一个一定频率的震荡,对EMC应该有影响。求指点?

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这个事与是否原边没有关系,(DCM模式的)反激都有这个问题1、这段振荡是副边二极管反向恢复电流振荡反射到原边来的,它对应的是副边二极管反压尖峰和振荡,产生机理和改善办法在这个贴讨论得比较透彻:葵花宝典:消除副边二极管反压尖峰 2、这个地方是弥勒平台(那第一个跌落坎对应的是驱动波形下降沿),只不过这个平台的位置到了顶端,这是由于反激的dv/dt比较大或者驱动不足的缘故。这个波形的主要问题不在于MOS是否及时关断,而在于有时能及时有时不能及时关断,引起输出不稳。还有一个问题是Ipk可能发生改变。如果这些问题你觉得不能接受时,可以加强驱动来加以改善。3、这个波形对应的是DS电压尖峰,还与漏极热点对地等效容抗有关,应减少漏感来尽可能予以改善。
与次级二极管的反向恢复电流有关? 我信你个鬼,对于DCM模式,原边在开启的时候,次级早就没有反向恢复的说法啦,人家早就截止啦!
1位置,和变压器绕组的分布电容有关,MOS开启时,原边绕组的分布电容提供了一个高频通路。

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