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求问哪位老师了解PFC MOSFET的RC吸收效果...

 无雨歌

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求问哪位老师了解PFC MOSFET的RC吸收效果,求指教!最近见到如图一个133KHZ的PFC,MOSFET用了27R电阻+100p瓷片电容作为吸收组合来抑制电压尖峰,用的管子是IXFH22N65X2,请问这么小的吸收电容,能对关断时刻的Vds尖峰有作用?

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C3与C2等效,用一个即可,100pF够大了,尽量不用
后边那么大个电解在那里吸收,还有什么尖峰
应该是对付杂散/寄生电感的吧,100p 够不够,看需要。
也就是说如果MOSFT的电压尖峰不超标,在MOSFET可承受范围内,就不用加这个吸收?二极管那边也不用?顺带弱弱的请教,用差分高压探头测试Vds电压波形,示波器用20M还是100M带宽?测试出来的波形感觉到两者差异很大

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