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IGBT管型号 | IKP04N60T | 公式 |
电机要求的输出功率P(W) | 1000 | |
电源电压VBB(V) | 310 | |
Min 电源电压VBB(V) | 280 | |
MAX 电源电压VBB(V) | 340 | |
IGBT电流Ic(A) | 5.01253133 | Ic=P/(0.75*0.95*VBB) |
开关频率f(KHz) | 10 | |
T_off+T_f(ns) | 250 | |
T_on+T_r(ns) | 150 | |
单个IGBT开关损耗P_one_sw(W) | 1.13617377 | P_one_sw=VBB_MAX*Id*0.5*(Ts_on_r+Ts_off_f)*f/1000000/3 |
全部IGBT管的开关损耗P_all_sw(W) | 6.81704261 | P_all_sw=P_one_on*6 |
IGBT在125C导通压降(V) | 2.05 | |
单个IGBT导通损耗P_one_on(W) | 3.42522974 | P_one_on=Vce*Id/3 |
全部IGBT的导通损耗P_all_on(W) | 20.5513784 | P_all_on=P_one_on*6 |
单个IGBT的总损耗P_one(W) | 4.56140351 | P_one=P_one_sw+P_one_on |
全部IGBT的总损耗P_all(W) | 27.3684211 | P_all=P_all_sw+P_all_on |
IGBT结到壳的热阻Rjc(K/W) | 3.5 | |
IGBT结到壳的温差△Tjc(K) | 15.9649123 | △Tjc=Rjc*P_one |
管壳到散热器间膜及硅脂Rcs(K/W) | 1.25 | |
管壳到散热器间膜及硅脂温差(T) | 5.70175439 | |
最大工作温度Tmax(℃) | 175 | |
最大允许工作温度Tmax(℃) | 150 | |
环境温度Ta(℃) | 40 | |
散热器热阻Rsa极限值(K/W) | 3.2275641 | Rsa_max=(Tmax-Ta-dTjc-dTcs)/P_all |
选定的散热器热阻 | 2.6 | |
实际芯片壳附近散热器温度Ts(℃) | 111.157895 | Tc=Rsa*P_all+Ta |
实际结温Tj(℃) | 132.824561 | Tj=Tc+dTjc+dTcs |