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纳米器件的现状与发展

 广东国规防静电技术检验中心有限公司

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电子工业迎来纳米时代
    随着纳米技术日新月异的发展,2005年全球电子工业加工精度将达到100纳米,从而普遍进入纳米时代。 
    美国电子工业协会预测,今后10年,纳米技术在电子工业中的应用规模将达到3000亿美元。2003年12月,美国众议院通过立法,将发展纳米科技作为国家科研发展的重点。美国科学院已将信息、生物、纳米作为科研的三大支柱。 
    鉴于纳米研究领域接连取得一连串实质性的突破,一个崭新的纳米电子时代可望提前到来。 
    据预测,也许只要再过3到7年,纳米电子技术就会改变计算机业的发展走向。 
集成电路的研究并获得突破。2003年5月,该公司研制成功迄今为止有源区(称为有效沟道长度)最小的P沟道MOSFET晶体管。 
(1)纳米晶体管技术的突破 
  为了发展超微型晶体管,美国新泽西州Lucent technologies公司贝尔实验室的研究人员正在从事这种超大规模集成电路的研究并获得突破。2003年5月,该公司研制成功迄今为止有源区(称为有效沟道长度)最小的P沟道MOSFET晶体管。 
 (2)生产纳米导线 
  研制纳米导线是制造大多数纳米器件和装置的关键因素。美国加州大学伯克利分校最近在改 进纳米导线特性方面获得重大进展,被公认为纳米导线的先驱。 
   (3)开发纳米计算机 
  纳米计算机指的是它的基本元器件尺寸在几到几十纳米范围,突破0.1微米界,实现纳米级器件。 
     (4)硅纳米线传感器
    硅纳米线的表面积大、表面活性高,对温度、光、湿气等环境因素的敏感度高,外界环境的改变会迅速引起表面或界面离子价态电子输运的变化,利用其电阻的显著变化可制成纳米传感器,并具有响应速度快、灵敏度高、选择性好等特点,可实现硅纳米线在化学、生物传感中的应用。近两年来,硅纳米线在检测细胞、葡萄糖、过氧化氢、牛类血清蛋白和DNA杂交方面取得了很大进展。 

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