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在压敏传感器中研究和应用日渐活跃的是氧化锌系纳米传感器,由于其具有均匀的晶粒尺寸,它不但适用于低电压器件,而且更适用于高电压电力站,它能量吸收容量高,在大电流时非线性好,响应时间短,电学性能极好,且寿命长。纳米氧化锌压敏传感器高度的非线性电压-电流关系,主要由绝缘晶界层决定。两个ZnO分解,形成填隙Zni原子,同时产生氧空位V0,如下式所示:ZnO→Zni+V0+1/2O2 Zni及V0经一次和二次电离,就形成e-为载流子的N型半导体了。
在压敏传感器中研究和应用日渐活跃的是氧化锌系纳米传感器,由于其具有均匀的晶粒尺寸,它不但适用于低电压器件,而且更适用于高电压电力站,它能量吸收容量高,在大电流时非线性好,响应时间短,电学性能极好,且寿命长。纳米氧化锌压敏传感器高度的非线性电压-电流关系,主要由绝缘晶界层决定。两个ZnO分解,形成填隙Zni原子,同时产生氧空位V0,如下式所示:ZnO→Zni+V0+1/2O2
Zni及V0经一次和二次电离,就形成e-为载流子的N型半导体了。
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