材料内参
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二氧化铪是当前互补金属氧化物半导体工艺中的重要高介电常数的材料栅极氧化物材料。最近，通过掺杂、固溶、应变、退火工艺、界面调控等多种手段在室温下稳定了极性正交相，在二氧化铪中诱导出自发电极化，其铁电性推动了新一代非挥发信息存储器的发展；而反铁电特性可应用于电介质储能，发展易于互补金属氧化物半导体集成的高性能薄膜电容器，用于便携式/植入式微电子能源器件和系统中。 青岛大学电子信息学院教授温峥课题组和山东大学物理学院教授刘晓辉课题组采用一种新的结构策略，通过对二氧化铪进行大范围的二价离子掺杂，诱导了从萤石向钙钛矿的结构转变。
