材料前沿洞悉
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天津大学马雷等在《ACS Appl. Electron. Mater》期刊发表名为“Electron-Beam Direct Writing-Based High-Performance Graphene Electrode Fabrication”的论文，研究报告了一种新开发的方案，该方案利用电子束直接写入技术制作高性能三维石墨烯电极，可应用于所有碳基场效应晶体管；整个过程在热丝扫描电子显微镜中进行。我们系统地研究了所有性能-加工参数的相关性，并实现了石墨烯电极的电阻率为 8.85 × 10-4 Ω-cm，这在开发全碳电子器件方面具有巨大的应用潜力。
