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奥地利科学院的学者通过将层错能（SFE）极低的 VB 族过渡金属氮化物（TMN）TaN 与 TiN 结合，制备了具有高密度堆叠故障的 TiN/TaN 多层膜。在Λ=20 nm时，薄膜的峰值硬度为36±2.4 GPa。HRTEM结果表明，全位错的解离产生了SFs网络，并形成了Lomer-Cottrell阵列。这些发现为我们设计具有平面缺陷的 TMN 多层膜提供了新的视角。该论文在 Acta Materialia 发表。
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