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半导体应变片在承受大应变时,其灵敏系数的非线性较大...

 谁念秋风独自凉

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半导体应变片在承受大应变时,其灵敏系数的非线性较大。由于灵敏系数高,应变作用会引起电阻的显著变化。举例来说,如果一个灵敏系数为130的半导体应变片承受1000με的应变作用,其电阻变化率△R/R可以达到13%。在这种情况下,不仅应变片本身的灵敏系数失去线性,而且常用的等臂惠斯顿电桥也会出现6%的非线性误差。大应变作用导致半导体应变片灵敏系数非线性增大的原因是什么?为什么灵敏系数高的应变片在承受应变作用时会引起较大的电阻变化?

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半导体应变片在承受大应变时,其灵敏系数的非线性较大。由于灵敏系数高,应变作用会引起电阻的显著变化。例如,当半导体应变片受到应变时,其电阻值会随之变化,这种变化可以通过测量电阻来检测应变。
半导体应变片在承受大应变时,其灵敏系数的非线性较大。这意味着在大应变情况下,应变片的电阻变化与应变的关系不是线性的,而是呈现出一定的非线性特性。这需要在应用中考虑和校准。

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