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关于交叉耦合电荷泵中NMOS管的问题 电源电压是1.8V，需要升压产生一个5V的高压，采用交叉耦合电路。NMOS管由于担心衬底接地会导致升压效率降低，所以采用了深N阱工艺的Nmos管，衬底结漏端电位。现在想问问，如果级联升压，会不会导致后几级的输入由于输入电压持续升高使得管子击穿呢？
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