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新方法在硅晶圆上直接生长石墨烯

 材料内参

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近日,清华大学材料学院符汪洋副教授和松山湖材料实验室许智研究员合作在四英寸硅晶圆上使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法直接生长石墨烯,无需金属催化剂,成功构建了高产率(328/384)的石墨烯场效应晶体管(GFET)生物传感器芯片。电学测试表明这些GFET器件的电阻、载流子迁移率和传输特性曲线具有良好的一致性。

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