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高性能,低成本,半导体石墨烯获新突破

 材料人柱力

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天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授及其科研团队,日前在半导体石墨烯领域取得了显著进展。

实现了三方面技术革新:首先,采用创新的准平衡退火方法,该方法制备的超大单层单晶畴半导体外延石墨烯(SEG),具有生长面积大、均匀性高,工艺流程简单、成本低廉等优势,弥补了传统生产工艺的不足;第二,该方法制备的半导体石墨烯,拥有约600 meV带隙以及高达5500 cm2V-1s-1的室温霍尔迁移率,优于目前所有二维晶体至少一个数量级;最后,以该半导体外延石墨烯制备的场效应晶体管开关比高达104,基本满足了现在的工业化应用需求。

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回复材料人柱力:咱们现在看到的这些工序,是全部由我们团队搭建起来的一整条生产线,实验设备也是我们自主研发的。

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