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石墨烯器件新突破!具有超高导通电流密度

 材料设计师

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近日,中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士和孙其君研究员团队通过集成摩擦纳米发电机与石墨烯/二硫化钼(MoS2)垂直异质结,构筑了摩擦电垂直场效应晶体管新器件(tribotronic VFET),该器件在垂直方向上具有纳米级沟道长度,并展现出较大电流开关比和较高的开态电流密度。

该摩擦电VFET器件由垂直堆叠的石墨烯/MoS2/金属结构和水平滑动模式的TENG组成。VFET在垂直方向上具有超短沟道长度,显示出出色的电流驱动能力,具有超高导通电流密度950 Acm-2的和良好的电流开/关比~630。

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