回复小呆看世界：材料科技前途无限。科研人员应务实创新！！！
小呆看世界
下载贤集网APP入驻自媒体
3月1日，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法”，公开号CN117623282A，申请日期为2022年8月。 发明的单壁碳纳米管水平阵列的生长面积可达一英寸，密度最高可达140根/微米，且表现出超高质量。该制备方法结合了激光划刻技术、离子注入技术以及竖直喷淋设备，实现了蓝宝石单晶基底的表面重构、其上催化剂分布以及气流与基底作用模式的同步优化，从而显著提升了单壁碳纳米管水平阵列的生长尺寸、密度和均匀性，且该方法具有可控、稳定、易放大等特点。
