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我国在14纳米集成电路制造先导技术研发方面取得突破,成功打造集成电路制造业创新体系,支撑中国集成电路产业快速崛起,国际竞争力大幅提升。
2008年以前,国内集成电路制造,最先进的量产工艺是130纳米,研发的工艺水平为90纳米,专项实施到现在,主流工艺水平提升了5代,55、40、28纳米三代成套工艺研发成功,并且实现量产,22、14纳米先导技术研发取得突破,形成了自主知识产权,这些工艺制造的智能手机、通讯智能卡等等芯片产品开始大批量进入市场,极大地提高了我国信息产业的竞争力。
据了解,专项已经在14纳米芯片装备、工艺、封装、材料等方面进行了系统部署,预计到2018年将全面进入产业化。中国已经研制成功14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品,性能达到国际先进水平,通过了大生产线的严格考核,开始批量应用并出口到海外。集成电路制造技术代表着当今世界微细制造的最高水平,中国目前已经具备了跻身集成电路制造先进国家的能力.
