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国产黑科技!介电材料能量密度暴增215倍

 新材向荣

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南京航空航天大学团队传来振奋人心的消息,他们成功开发出PZT-MgO复合薄膜介电材料,实现了重大技术突破。

与商用产品储能密度仅1.2-5J/cm³相比,这款国产PZT-MgO复合薄膜的储能密度达到了惊人的215.8J/cm³,提升幅度高达215倍。其卓越的性能,为众多领域带来新的可能。

该材料将在电磁炮、激光设备等高功率设备上大显身手。凭借超高的储能密度,有望助力这些高功率设备提升性能,解决能源存储和释放的关键问题。这一成果不仅彰显了我国在介电材料领域的科研实力,也为国防科技等领域的发展注入了强大动力,推动相关产业迈向新的高度。 

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