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4英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功

 材料人柱力

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近日,杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室使用铸造法成功制备了高质量4英寸氧化镓单晶,并完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破。

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回复材料人柱力:早在去年5月,科创中心先进半导体研究院就成功突破2英寸生长技术,制备了直径2英寸的氧化镓晶圆,为实现氧化镓批量生产打下坚实基础。未来,团队将继续开展自主创新工作,逐步突破更大尺寸,更高质量的氧化镓衬底,推动氧化镓产业高质量发展。

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