回复芯想事成:但是先进制程的光刻机没那么容易被突破
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多重图案化是一种克服芯片制造过程中光刻限制的技术。如今的单次曝光、193nm 波长光刻在 40nm 半节距处达到了物理极限。多重图案化使芯片制造商能够对 20 纳米及以下的 IC 设计进行成像。 多重图案有两个主要类别:间距分割(pitch splitting)和间隔物(spacer)。间距分割包括双重图案化(double patterning)和三重图案化(triple patterning)技术;间隔物包括自对准双重图案化(SADP:self-aligned quadruple patterning )和自对准四重图案化(SAQP)。间距分割和间隔物技术都可以扩展到八联体图案(octuplet patterning)。