做（200W)反激， 换新一代芯片，38**虽然金典， 还是功能不足， 比如缺少采样前沿消隐， （这个很重要，关系到电流采样精确），驱动波形塌陷与Rg 电阻也有关系，Crss的大小受最大峰值电流的作用产生的。初级峰值电流越大越厉害。从驱动波形看，一点关闭尖峰都没有，这不是好事情。 留一点尖峰是必要的。，Rg 电阻太大了。MOS管Giss 电容估计不小。明显驱动电流保持不足。塌陷控制在8V幅度，就可以了。
谢主龙恩
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棘手难题求助高手！普通的反激 采用3843直接驱动 功率将近200w mos用的是800v 10A的 10n80 整流二极管用的是1660ct 600V的超快恢复二极管。 工作于连续模式下发热较为严重，发现驱动波形在一半处有一个塌陷，但VDS波形很正常，绿色是驱动波形 黄色是次级二极管波形 两个波形存在重叠， 不知道是上面原因？求指教！
