关于驱动器电阻对过冲的影响，加大驱动器的电阻可能会降低开关速度，进而减少过冲。但是，这也会增加开关损耗，并可能影响电路的整体性能。因此，需要综合考虑来确定最佳的电阻值。
凤之谷
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求高手指点迷津！我的电路上在输入母线上已经加了CBB225电容,管子上没有加RC，续流二极管也没有加RC吸收,我昨天调试的时候,把mosfet改成了igbt(75N60)后，同时把电感从470uh变大到2mh后,发现开关节点的过冲振铃神奇消失了(管子和续流二极管都没有加RC!!!)，因为昨天用结电容更小的mosfet时候,发现一个现象就是结电容小的mosfet振铃更大(SPW20N60比SPW47N60开关节点过冲更大,更容易炸机),用示波器观测居然高达200V过冲,更换igbt之后也不再出现炸机情况（igbt发热量比mosfet大！）,单片机仿真器也能正常运行,现在我想换回mosfet继续调试,我现在自己总结的问题是不是mosfet相比igbt在同等的驱动器下打开速度更快，导致过冲更严重,我是不是把驱动器的电阻加大可以改善情况,下面是我拍的用igbt后的开关节点波形。 求教：spw47n60和75n60t的结电容差不多,为什么用了75n60t之后过冲就没了？是不是说结电容相同的情况下,igbt打开和关闭速度都比mosfet要慢？3个管子的结电容参数我也上传如下。
