MEMS大世界
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据国家知识产权局公告，清华大学取得一项名为“基于晶圆级封装的MEMS气体传感器及其制造方法“，授权公告号CN114894856B，申请日期为2022年4月。 专利摘要显示，本公开涉及一种基于晶圆级封装的MEMS气体传感器及其制造方法。传感器包括：介质层覆盖在第一衬底的第一面上；各硅通孔贯穿第一衬底和介质层；第一绝缘层覆盖在第一衬底的第二面且暴露出各硅通孔；各电极位于第一衬底的第二面且与硅通孔连接；传感器主体的加热电极在介质层上且与对应的硅通孔连接、第二绝缘层至少覆盖加热电极；测试电极在第二绝缘层上方且目标区域与加热电极重叠并通过连接到对应的各硅通孔、气敏材料层覆盖在目标区域上；盖帽层的第二衬底设置有容纳至少部分传感器主体的容置槽、与容置槽连接的通气孔；盖帽层的键合环将基体和盖帽层固定连接。所制造的传感器抗冲击与抗污染性能好、成本低、均一性好、工业生产效率高。
